一、HMDS 烘箱的预处理系统应用
在半导体生产工艺中，光刻是至关重要的一个工艺环节，而涂胶工艺的好坏，直接影响到光 刻的质量，所以涂胶也显得尤为必要，尤其在所刻线条比较细的时候，任何一个环节有一点 纰漏，都可能导致光刻的失败。在涂胶工艺中，所用到的光刻胶绝大多数是疏水的，而晶片 表面的羟基和残留的水分子是亲水的，如果在晶片表面直接涂胶的话，势必会造成光刻胶和 晶片的粘合性较差，甚至造成局部的间隙或气泡，涂胶厚度和均匀性都受到了影响，从而影 响了光刻效果和显影。为了解决这一问题，涂胶工艺中引入了一种化学制剂，即 HMDS，它 的英文全名叫 Hexamethyldisilazane（HMDS），化学名称叫六甲基二硅氮甲烷，把它涂到硅 片表面后，通过加温可反应生成以硅氧烷为主题的化合物，这实际上是一种表面活性剂，它 成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起到耦合的作用，再 者，在显影的过程中，由于它增强了光刻胶与基底的粘附力，从而有效地抑制刻蚀液进入掩 模与基底的侧向刻蚀。 最初，人们用液态的 HMDS 直接涂到晶片上，然后借着晶片的高速旋 转在晶片表面形成一层 HMDS 膜。这样就阶段性的解决了基片和光刻胶之间的结合问题，但 随着光刻线条的越来越细，胶的越来越薄，对粘附力提出了更高的要求，于是我们研制出了 现在的 HMDS 预处理系统。
二、HMDS 预处理系统的原理：
HMDS 预处理系统通过对烘箱 HMDS 预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参 数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层 HMDS，降低了 HMDS 处理后的硅片接触角，降低了光 刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。
三、 HMDS 预处理系统的性能
（1）预处理性能更好，是在经过数次的氮气置换再进行的 HMDS 处理，所以不会有尘埃的干 扰，再者，由于该系统是将"去水烘烤"和 HMDS 处理放在同一道工艺，同一个容器中进行， 晶片在容器里先经过 100℃-200℃的去水烘烤，再接着进行 HMDS 处理，不需要从容器里传 出，而接触到大气，晶片吸收水分子的机会大大降低，所以有着更好的处理效果。
（2）处理更加均匀。 由于它是以蒸汽的形式涂布到晶片表面上，所以有液态涂布不可比拟 更好的均匀性。
（3）效率高。液态涂布是单片操作，而本系统一次可以处理多达多盒的晶片。
（4）更加节省药液。实践证明，用液态 HMDS 涂布单片所用的药液比用本系统处理多盒晶片 所用药液还多；
（5）更加环保和安全，HMDS 是有毒化学药品，人吸入后会出现反胃、呕吐、腹痛、刺激胸 部、呼吸道等，由于整个过程是在密闭的环境下完成的，所以不会有人接触到药液及其蒸汽， 也就更加安全，它的尾气是直接由机械泵抽到尾气处理机，所以也不会对环境造成污染。
四、系统结构
整个系统由加热、真空系统、充氮、加药和控制模块等 5 部分组成。
七、HMDS 烘箱技术参数
规格型号 | PVD-090-HMDS | PVD-210-HMDS |
容积（L） | 90L | 210L |
控温范围 | RT+10～250℃ | |
温度分辨率 | 0.1℃ | |
控温精度 | ±0.5℃ | |
加热方式 | 内腔体外侧加温 | |
隔板数量 | 2PCS | 3PCS |
真空度 | <133Pa（真空度范围 100～100000pa） | |
真空泵 | 抽气速度 4 升／秒，型号 DM4 | |
电源/功率 | AC220/50Hz，3KW | AC380V/50Hz，4KW |
内胆尺寸（W*D*H）mm | 450×450×450 | 560×640×600 |
外形尺寸（老款）mm | 800×630×850 | 920×830×1050 |
外形尺寸（新款）mm | 980×655×1600 | 1220×930×1755 |
连接管：316L 不锈钢波纹管（KF25）和卡箍，将真空泵与真空箱完全无缝连接。
备注 1：真空泵可根据场地需要使用干泵可选爱德华或安捷伦（选购）
备注 2：外壳优质冷轧钢板粉末静电喷涂，内胆采用 316L 不锈钢，外箱尺寸为（W*D*H）mm： 980x655x1600（含下箱柜高 700），下箱柜空置。
其它选配件：
1．波纹管 2 米或 3 米
2．富士温控仪表（温度与 PLC 联动）
3．三色灯
4. 增加 HMDS 药液瓶
5．HMDS 管路加热功能
6．开门报警
7.压力温度记录仪
8.干式涡旋泵（推荐）：爱德华（Nxds10i或 15i）、安捷伦（TriScroll300或600）、谭式（SPL15）、 鲍斯（GVD8）
